Описание
Характеристики:
- Материал p-n-перехода: Si
- Структура транзистора: NPN
- Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 W
- Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
- Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.1 A
- Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 150 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 200
Отзывы
Отзывов пока нет.