Описание
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Характеристики:
- Технология/семейство: npt trench
- Наличие встроенного диода: да
- Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
- Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
- Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
- Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
- Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
- Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
- Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
- Корпус: to-3p
- Вес, г: 6.5
Отзывы
Отзывов пока нет.