FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]

240.00

Нужно оптом? Прямая поставка с завода без посредника.
Опт от 10 000 рублей.
Отправить заявку на расчет
Доставка по СПБ в день заказа.
Доставка по Москве до двери от 2 дней.
Быстрая доставка по всей России.
1200 пунктов самовывоза СДЭК

46 в наличии

Артикул: 10198 Категории: ,
Изображение на сайте может отличаться от реального вида товара.
Срочная сборка заказа(больше 2х позиций) в пункте самовывоза платная и стоит 200 рублей.

Описание

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
Вес, г: 6.5

Отзывы

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]”

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *