Описание
Характеристики:
- Материал p-n-перехода: Si
- Структура транзистора: PNP
- Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W
- Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
- Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V
- Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.2 A
- Предельная температура p-n перехода (Tj): 135 C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 100
Отзывы
Отзывов пока нет.